Thermal EMMI (InSb)
产品被客户退回来，却无法分清是Die 还是Package出状况？IC试产回来，却发现有大电流问题？终端客户产品量产在即，IC内部线路短路仍解不出来？初步定位看到故障点，但因为是3D封装产品，无法进一步判断是哪一层有问题？
以上问题需要最先进的 Thermal 分析服务来为您解答！
▍基本原理
缺陷或功能异常的半导体元件通常会因为局部功率消耗的异常导致温度升高， ELITE系统利用Lock-in IR Thermography （LIT）其中的InSb材质的侦测器来 准确并有效地定位这些异常的区域。
▍主要特点
‧ 由于热辐射不会被封装挡住，特别适用于Package、PCB、被动元件以及面板，包括低阻抗短路 (<10ohm)之故障点设备。
‧ 市场上灵敏度最高的热点侦测系统。
‧ 差异化温度解析度：数秒后 < 1 mK；数小时后 < 10 uK。
‧ 时态相位锁定系统。
‧ 最低侦测条件~10uW (业界最低)。
‧ 无接触绝对温度测试
‧ 通孔封装和堆叠晶片分析
图2- The ability to locate a thermal source in 3D makes the ELITE system well-suited for stacked-die analysis.
图3- 最低侦测条件~10uW (业界最低)
