定位方式：
光子 (侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子)
适用异常：
● 接面漏电(Junction Leakage)
● Contact Spiking
● 热电子效应(Hot Electrons)
● 闩锁效应(Latch-Up)
● 闸极氧化层缺陷或漏电(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N Current)
● 多晶硅的细丝残留 (Poly-Silicon Filaments)
● 硅基底损伤( Substrate Damage)
● 机械性损伤(Mechanical Damage)
● 接面崩溃( Junction Avalanche)
