0.25μm 5V Salicide Analog

公司提供0.25um S/A 5V CMOS工艺，采用STI前端、0.25um后端和Salicide工艺。本平台具有更小的器件尺寸，更低的导通电阻，更稳定的器件可靠性以及极具竞争力的光刻层次。为LDO、数字音频功放、接口控制芯片等提供了优秀的解决方案。

Key Features

- STI FEOL / 0.25 BEOL Process

- Low Rdson with Cobalt-Salicide Process

- Single Poly Gate

- Simplify layer number for high-integration and cost-effective design

- MIM Capacitor \ High-Resistor \ Depletion MOS Option

- Wide temperature-range modeling from -40 to 125℃

- Full Design Kit support with PDK\CMD\ESD solutions

Applications

- 5V LDO, Regulator, Charge Pump

- Audio Amplifier

- USB (2.0, 3.0) HUB Controller

- HDMI HUB Controller

0.35um 3V/5V MS

0.35 Micron Modular CMOS Technology for Mixed signal Product Applications

035MM是公司的标准数模混合工艺平台。0.35微米栅长, 双层多晶，四层金属. 应用于模拟方面的工艺，提供两种工作电压，MOS晶体管，隔离晶体管，PIP电容，多晶高阻等工艺模块。在设计规则和晶体管性能方面符合业界0.35微米CMOS工艺标准。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，模拟和数字单元库，IP以及开发工具包可以支持主要的EDA工具供应商提供的平台。

Key Features

- 3.3V logic layout & performance compatible with the industry standard

- 0.35-micron double poly,quadruple metal, N-well CMOS basic process

- Modular concept

- 5V dual gate module

- Double poly capacitor

- High value poly resistor

- Well isolated 3.3V and 5V devices

- I/O cell library with 4kV HBM ESD protection levels

- Typical and worst-case models - BSIM3v3.2 ---MOS, gummel poon---BJT, sub-circuit model---RES&CAP

Applications

- Mixed signal product

- High Precision mixed signal circuits

- DC-DC Converter

0.5μm/0.35μm 5V Mixed-Signal & 7V LDO platform

0.5/0.35um是公司的标准数模混合工艺平台。0.5微米栅长，0.35微米工艺后段，双层多晶，四层金属，应用于模拟方面的工艺，提供5VMOS晶体管，隔离晶体管，ONO电容，多晶高阻等工艺模块。在设计规则和晶体管性能方面符合业界0.5微米CMOS工艺标准。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，模拟和数字单元库，IP以及开发工具包可以支持主要的EDA工具供应商提供的平台。

Key Features

- 5V logic layout & performance compatible with the industry standard

- 0.5-micron double poly, quadruple metal, N-well CMOS basic process

- Modular concept

- 5V gate module

- Double poly capacitor

- High value poly resistor

- Well isolated 5V devices

- I/O cell library with 2kV HBM ESD protection levels

Applications

- Mixed signal product

- High Precision mixed signal circuits

- DC-DC Converter  

0.18um AB s-BCD G1 (7V-24V)

公司提供的0.18um Analog BCD体硅（非外延）工艺，拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，为DC-DC Convertor、电源管理IC、手机背光驱动、快充等应用提供了很好的解决方案。

Key Features

- Non-EPI process，cost effective mask layer，competitive Rdson and BVdss performance

- Foundry compatible 5V CMOS，NLDMOS & PLDMOS up to 24V

- Complementary Drain Extended CMOS (DECMOS) up to 40V operation

- Rich options included parasitic Zener/JFET/Schottky

- MIM Capacitor, High-Sheet Poly Resistor, E -fuse available

- PDK and industry standard CAD tools are supported

- Supporting Thick metal layer &Small pad opening for RDL

Application

-DC-DC Convertor

-PMICs

-LED lighting driver

-Backlight circuit applications

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0.18μm DB BCD G2S (7V-80V)

公司提供的0.18μm DB s-BCD G2S工艺平台提供了低导通电阻、高可靠性的LDMOS以及7V-80V宽工作电压器件可供选择。此外，平台还提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。

Key Features

- Low Voltage 1.8V/5V CMOS

- High Voltage 7V-80V

- Switch and analog nLDMOS (7-80V), Full isolated nLDMOS (7-40V)

- Low Rdson pLDMOS (9-50V)

- Rich options: Zener &BJT&SBD

- 1.8V&5V standard cell library

- 5V FT e-Fuse

- 5V MTP

Application

- Motor Driver

- AC-DC/DC-DC Convertor

- PMICs

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0.18μm DB BCD G2S (80V-120V)

公司提供的0.18μm DB s-BCD G2S(80-120V)工艺平台提供了80V-120V的高工作电压器件可供选择。此外，平台还提供了BJT、Poly电阻、Zener、120V JFET等种类丰富的器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。

Key Features

- Low Voltage 1.8V/5V CMOS

- High Voltage 80V-120V DEMOS & LDNMOS

- 15V Fully ISO DE NMOS

- Rich options: Zener &BJT&JFET

- 1.8V&5V standard cell library

- 5V FT e-Fuse

Application

- BMS

- AC-DC Convertor

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0.18μm DB BCD G3 (7V-40V)

公司第三代0.18微米BCD工艺平台提供了低导通电阻、高可靠性的LDMOS以及精简的光刻层次，可覆盖7V-40V的宽工作电压范围。此外，平台还提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。

Key Features

- Low Voltage 1.8V/5V CMOS

- High Voltage 23V/35V/45V DE-CMOS

- Switch and analog NLDMOS (7-40V), full isolated NLDMOS (7-24V)

- Low Rdson PLDMOS (7-40V)

- Rich options: Zener &BJT&SBD

- 1.8V&5V standard cell library

- 5V e-Fuse/FT e-Fuse

- 5V MTP (psub-iso)

Application

- Motor Driver

- AC-DC/DC-DC Convertor

- OVP

- PMICs

0.25μm s-BCD G2 (12V-60V)

公司提供成熟量产的0.25μm s-BCD G2(12V-60V)工艺拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，并提供独有的厚栅氧HV器件，为马达驱动、AC-DC/DC-DC Convertor、电源管理IC、快充等应用提供了很好的解决方案。

Key Features

- Low Voltage 5V CMOS (Max OP: 6V)

- High Voltage 12~24V/30V~60V scalable

- Switch and analog NLDMOS (Thin & Thick), Full isolated NLDMOS (12-24V)

- Rich options Low Rdson PLDMOS (12-24V), Zener &JFET&BJT

- 5V standard cell library Analog PDK

- 5V e-OTP, 5V e-Fuse/FT e-Fuse

Applications

- Motor Driver

- AC-DC/DC-DC Convertor

- PMICs

0.8μm 700V BCD G3S

0.8μm 700V BCD G3S是公司的标准高压工艺平台之一，是以较经济的光刻层数实现700V高压工艺，特别合适离线式电源（AC/DC）和LED 驱动产品设计，特征为0.8μm前端/0.5μm后端，单层多晶，双层金属，工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS、40V中压CMOS器件、700V LDMOS、700V HV 耗尽管、700V JFET器件，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。

Key Features

- 0.8 micron front-end, 0.5 micron back-end design rule

- Modular concept (HR/ Zener / BJT /700V Dep. NMOS/ 700V JFET/ Special require)

- 700V LDMOS. BVds>750V

- 700V Dep. NMOS, Voff: -5.0V/-5.8V, BV>750V

- JFET Voff: -9V/-25V

- High value poly resistor; 1K or 3K

Applications

- Off-line power (AC/DC)

- LED driver

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0.8μm 40V HV Power Analog

0.8μm HV P/A是公司的新一代高压工艺平台，是以最少光刻层数实现的经济高压工艺，工艺特征为0.8μm FEOL/0.35umBEOL 线宽，双层多晶，四层金属，应用于数模混合的高压产品。工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS、25V中压和40V高压CMOS器件，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。

Key Features

- 5V logic layout & performance compatible with the industry standard

- 0.8 micron front-end, 0.35 micron back-end design rule

- Epi process for isolated devices

- Modular concept (HR/ Zener / BJT / Special require)

- Vgs/Vds=5V/25 or Vgs/Vds=5V/40V，Vgs/Vds=25V/25 or Vgs/Vds=40V/40V HVCMOS

- High value poly resistor

- I/O cell library with 2KV HBM ESD protection levels

Applications

- LCD driver/LED driver

- Power management product

- Battery protection IC

1μm600V HVIC

公司提供的1μm 600V HVIC高压浮栅工艺， 拥有200V/600V两个档位的NLDMOS/高压隔离岛。公司的高压互联自屏蔽技术荣获两项发明专利。为电机驱动、白色家电（IPM模块）、大功率LLC、无人机等应用提供了很好的解决方案。

Key Features

- Cost effective mask layer，competitive Rdson and BVdss performance

- Foundry compatible 5V CMOS，20V MV-LDMOS, 200V/600V HVMOS+island

- Rich options included parasitic Zener/JFET

- PDK and industry standard CAD tools are supported

- Supporting Thick metal layer

Application

-Motor driver

-IPM

-LLC

-Unmanned aerial vehicle

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1.0μm 60V/120V HVIC

公司提供的1.0μm 60V/120V HVIC工艺， 拥有高可靠性的LDMOS以及精简的光刻层次，提供60V/120V两个档位的N/PLDMOS以及隔离岛。为手持电动工具、平衡车、无人机等应用提供了很好的解决方案。

 Key Features

- Cost effective mask layer，competitive Rdson and BVdss performance

- Foundry compatible 5V CMOS，12V MV-LDMOS, 60V/120V HV-LDMOS and island.

- Rich options included parasitic Zener/JFET

- PDK and industry standard CAD tools are supported

- Supporting Thick metal layer

Application

- Power tools

- Ninebot

-Unmanned aerial vehicle

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1.0μm 25V 40V HV

1.0μm 25V 40V HV是公司的标准高压工艺平台之一。是以较少光刻层数实现的经济高压工艺，工艺特征为1.0μm 线宽，单层多晶，双层金属，应用于数模混合的高压产品，工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS、25V或40V高压CMOS器件，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。

为了节省芯片面积，工艺提供1.0μm 前端0.5μm后端设计规则。

Key Features 

- 5V logic layout & performance compatible with the industry standard

- 1.0 micron front-end, 1.0 micron or 0.5 micron back-end design rule

- Epi process for isolated devices

- Modular concept (HR/ Zener / BJT / Special require)

- Vgs/Vds=5V/25 or Vgs/Vds=5V/40V，Vgs/Vds=25V/25 or Vgs/Vds=40V/40V HVCMOS

- High value poly resistor

- I/O cell library with 2KV HBM ESD protection levels

Application 

- LCD driver/LED driver

- Power management product

- Battery protection IC

0.11 Ultra-low Leakage

公司 0.11 ULL采用了铝互连技术，1P8M 架构，提供1.5V 内核器件及3.3V 输入输出器件，具备超低漏电特点，器件特征Ioff (pA/um)<0.5。

Key Features 

- Single poly, eight-metal-layer process

- Al backend with low-K FSG material

- Device Ioff (typical) <0.5 pA/um

 Applications

- MCU

- IOT

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0.11 ULL flash 

公司 0.11 ULL flash 工艺是基于0.11 ULL工艺嵌入flash, 逻辑器件与ULL兼容。提供超低功耗模拟IP。

Key Features

- Double poly, eight-metal-layer process

- Al backend with low-K FSG material

- Competitive flash macro cell size

Application 

- MCU

- IOT

0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G

0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G

公司0.18um工艺是基于客户对于Fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。0.18um逻辑工艺可提供1.8V电压core device、3.3V或者5V 电压IO device， 并同时提供Native VT、Medium low VT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。

Shrunk工艺可以有效的降低客户成本，同时Shrunk工艺的器件特性同不Shrunk工艺非常接近。公司 0.162um工艺是0.18um 90% Shrunk工艺, 公司 0.153um工艺是0.18um 85% Shrunk工艺。

公司0.18um工艺提供OTP/MTP工艺，OTP/MTP 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，不需要额外增加光刻层次。

Key Features

0.18um Process Family

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 0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V) 

公司提供的0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则，为DC-DC、LED屏驱动、音频功放、MCU等应用提供了很好的解决方案。

 Key Features 

- Single poly, rich metal (Aluminum) options (support 2~6, thin/thick top metal options)

- Hi-Rsh poly resistor, MIM/MOS capacitor, OTP/FT E–fuse and other rich device options

- Full Design Kit support with PDK\CMD\library

 Application 

- DC-DC

- LED display

- Audio amplifier

- MCU

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0.18μm e-Flash

公司提供的0.18μm e-Flash工艺兼容0.18um logic工艺，提供业界具有竞争力的闪存IP，高可靠性，低功耗和低成本，为智能卡、各类屏接触控制、MCU等应用提供了很好的解决方案。

Key Features 

- Double polys, support 4~6 top metal options

- Industrial competitive flash macro cell size, low voltage, low power operation

- Full Design Kit support with PDK\ std cell\IO Library

Application 

- Smart card

- Touch-screen controller

- MCU

0.4μm 60V-100V 8" N/P-ch DMOS

中压的Trench DMOS 工艺平台成功量产，较低的导通电阻和较强雪崩能力，拓展了在电动工具、电动车、车载电器、太阳能逆变器、UPS、马达驱动上的应用。

Key Features

-  Conventional Trench DMOS : N100V Rsp ~100mΩ.mm²

Application

- Power tools

- LEV

- Electric Toys

- Solar Inverter

- UPS

- Motor driver

- Fast charger adaptor

- Wireless adaptor

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 0.35um 20-30V 8" N/P-ch DMOS

 0.2um 20-40V 8" N-ch DMOS

 20~40V是公司的标准Trench DMOS 工艺平台，主要应用于DC-DC SMPS电源管理，具有高密度和低通态电阻特性，并能够提供完整的设计服务。

Key Features

- High performance trench technology

- High Density

- Low Gate Charge

- Ultra Low On-Resistance

- Dynamic dv/dt Rating

- 175°C Operating Temperature

- Fast Switching

- Fully Avalanche Rated

 Application

- E-bike, UPS, Lighting

- DC-DC, M/B

- Portable component  

50~1200V是公司的标准Planar DMOS 工艺平台，主要应用于AC-DC SMPS电源管理，具有高效率和低通态电阻特性，并能够提供完整的设计服务。

Key Features

- 2.5-micron single poly, single metal N-well DMOS basic process

- 6 layer process including passivation.

- Excellent avalanche(UIS) performance.

- Low Rdson

- Best in class di/dt

- Low output capacitance Coss

- Low Voltage P-well DMOS option.

- Fast recover(low trr) DMOS option.

Application

- E-bike, UPS, Lighting

- SMPS, AC-DC, Adaptor, Charger, LCD, Telecom, Motor

- PDP, Protect device